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NSVDTA115EET1G

NSVDTA115EET1G

참조 용

부품 번호 NSVDTA115EET1G
PNEDA 부품 번호 NSVDTA115EET1G
설명 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVDTA115EET1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVDTA115EET1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
NSVDTA115EET1G, NSVDTA115EET1G 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 88.92 KB)
PDFNSVMMUN2136LT1G 데이터 시트 표지
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  • NSVDTA115EET1G Distributor

NSVDTA115EET1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)100 kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)100 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SC-75, SOT-416

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저항-베이스 (R1)

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저항-이미 터베이스 (R2)

47 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

80MHz

전력-최대

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장착 유형

Surface Mount

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

1 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

33 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SST3

DTA124TETL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

22 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

250MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

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제조업체

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트랜지스터 유형

PNP - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

1 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

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