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NSVMBD54DWT1G

NSVMBD54DWT1G

참조 용

부품 번호 NSVMBD54DWT1G
PNEDA 부품 번호 NSVMBD54DWT1G
설명 DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,664
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NSVMBD54DWT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVMBD54DWT1G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
NSVMBD54DWT1G, NSVMBD54DWT1G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 130.17 KB)
PDFMBD54DWT1 데이터 시트 표지
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  • NSVMBD54DWT1G Distributor

NSVMBD54DWT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 100mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)5ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 25V
작동 온도-접합125°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88 (SOT-363)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.48V @ 200A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 1800V

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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Module

HTZ260G14K

IXYS

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IXYS

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

14000V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

4.7A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

16V @ 12A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 14000V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MBR40L15CW

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

15V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

420mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 15V

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

UGB18ACTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 9A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

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