NTGD3149CT1G
참조 용
| 부품 번호 | NTGD3149CT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTGD3149CT1G |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,192 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTGD3149CT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTGD3149CT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTGD3149CT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.2A, 2.4A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 387pF @ 10V |
| 전력-최대 | 900mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Ta), 51A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 103mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 514pF @ 10V 전력-최대 515mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-HUSON-EP (2x2) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 208A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14400pF @ 25V 전력-최대 781W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 670pF @ 20V 전력-최대 20.8W 작동 온도 -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 140mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 22Ohm @ 40mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6.2pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
