NTGD4167CT1G
참조 용
| 부품 번호 | NTGD4167CT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NTGD4167CT1G |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 1,080,234 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTGD4167CT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTGD4167CT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTGD4167CT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A, 1.9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 295pF @ 15V |
| 전력-최대 | 900mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 410pF @ 10V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 9-UFBGA, DSBGA 공급자 장치 패키지 9-DSBGA |
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