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NTJS3151PT2

NTJS3151PT2

참조 용

부품 번호 NTJS3151PT2
PNEDA 부품 번호 NTJS3151PT2
설명 MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTJS3151PT2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTJS3151PT2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTJS3151PT2, NTJS3151PT2 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 123.89 KB)
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NTJS3151PT2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id400mV @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds850pF @ 12V
FET 기능-
전력 손실 (최대)625mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Diodes Incorporated

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.1A (Ta), 54.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1179pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta), 35.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

FA38SA50LC

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 23A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

420nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

173mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

619pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTMFS5C430NLT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4300pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

82mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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