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NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

참조 용

부품 번호 NTMD5836NLR2G
PNEDA 부품 번호 NTMD5836NLR2G
설명 MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
제조업체 ON Semiconductor
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NTMD5836NLR2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTMD5836NLR2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTMD5836NLR2G, NTMD5836NLR2G 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 136 KB)
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NTMD5836NLR2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2120pF @ 20V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1415pF @ 15V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

V-DFN3030-8 (Type J)

FDMD85100

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2230pF @ 50V

전력-최대

2.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-Power 5x6

AO4616L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MMDF3N04HDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 32V

전력-최대

1.39W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

EFC4626R-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFBGA

공급자 장치 패키지

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