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NTQD6866R2G

NTQD6866R2G

참조 용

부품 번호 NTQD6866R2G
PNEDA 부품 번호 NTQD6866R2G
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
제조업체 ON Semiconductor
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NTQD6866R2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTQD6866R2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTQD6866R2G, NTQD6866R2G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 144.8 KB)
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NTQD6866R2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 16V
전력-최대940mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1A

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-TSST

FDS4895C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 4.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 20V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SIA777EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 1.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

5W, 7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

APTC80DDA15T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4507pF @ 25V

전력-최대

277W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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