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NTQD6866R2G

NTQD6866R2G

참조 용

부품 번호 NTQD6866R2G
PNEDA 부품 번호 NTQD6866R2G
설명 MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP
제조업체 ON Semiconductor
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NTQD6866R2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTQD6866R2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTQD6866R2G, NTQD6866R2G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 144.8 KB)
PDFNTQD6866R2G 데이터 시트 표지
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NTQD6866R2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs32mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 16V
전력-최대940mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TT8K11TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

71mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1A

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

140pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-TSST

AON6812

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1720pF @ 15V

전력-최대

4.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5.2x5.55)

SIZ988DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V

전력-최대

20.2W, 40W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-PowerPair®

SI7236DP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4000pF @ 10V

전력-최대

46W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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