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NTQS6463R2

NTQS6463R2

참조 용

부품 번호 NTQS6463R2
PNEDA 부품 번호 NTQS6463R2
설명 MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTQS6463R2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTQS6463R2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTQS6463R2, NTQS6463R2 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 66.65 KB)
PDFNTQS6463R2 데이터 시트 표지
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NTQS6463R2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50nC @ 5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)930mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-TSSOP
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1113pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

SISA04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.15mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3595pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

AO3421L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

370pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3L

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

FCH067N65S3-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

67mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3090pF @ 400V

FET 기능

Super Junction

전력 손실 (최대)

312W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

패키지 / 케이스

TO-247-3

DMP3099L-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

563pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.08W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23

패키지 / 케이스

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