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NTS4001NT1

NTS4001NT1

참조 용

부품 번호 NTS4001NT1
PNEDA 부품 번호 NTS4001NT1
설명 MOSFET N-CH 30V 270MA SOT-323
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,950
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTS4001NT1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTS4001NT1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NTS4001NT1, NTS4001NT1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 179.81 KB)
PDFNTS4001NT1 데이터 시트 표지
NTS4001NT1 데이터 시트 페이지 2 NTS4001NT1 데이터 시트 페이지 3 NTS4001NT1 데이터 시트 페이지 4 NTS4001NT1 데이터 시트 페이지 5 NTS4001NT1 데이터 시트 페이지 6

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NTS4001NT1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)270mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.3nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds33pF @ 5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)330mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC-70-3 (SOT323)
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

66mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.465nF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

170W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRFZ46NSTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1696pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 107W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FK8V03060L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

33V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 0.48mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

360pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

WMini8-F1

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

TSM4ND65CI

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 1.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

596pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

41.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ITO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

2SK3707

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2150pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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TO-220ML

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