NVMFD5852NLT1G
참조 용
| 부품 번호 | NVMFD5852NLT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NVMFD5852NLT1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 14,712 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMFD5852NLT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMFD5852NLT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NVMFD5852NLT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3.2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 330mA, 170mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 36pF @ 25V 전력-최대 500mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-666 |
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