NVMFD5873NLWFT1G
참조 용
| 부품 번호 | NVMFD5873NLWFT1G |
| PNEDA 부품 번호 | NVMFD5873NLWFT1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,028 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NVMFD5873NLWFT1G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NVMFD5873NLWFT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NVMFD5873NLWFT1G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 30.5nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1560pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™ FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 116mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 270nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 V2-PAK 공급자 장치 패키지 V2-PAK |
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