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NDC7001C

NDC7001C

참조 용

부품 번호 NDC7001C
PNEDA 부품 번호 NDC7001C
설명 MOSFET N/P-CH 60V SSOT6
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,500
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예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NDC7001C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NDC7001C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NDC7001C, NDC7001C 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 273 KB)
PDFNDC7001C 데이터 시트 표지
NDC7001C 데이터 시트 페이지 2 NDC7001C 데이터 시트 페이지 3 NDC7001C 데이터 시트 페이지 4 NDC7001C 데이터 시트 페이지 5 NDC7001C 데이터 시트 페이지 6 NDC7001C 데이터 시트 페이지 7 NDC7001C 데이터 시트 페이지 8 NDC7001C 데이터 시트 페이지 9 NDC7001C 데이터 시트 페이지 10

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NDC7001C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)510mA, 340mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 510mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds20pF @ 25V
전력-최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지SuperSOT™-6

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel Complementary

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

680mA (Ta), 460mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V, 63pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

LN100LA-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Cascoded)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3000Ohm @ 2mA, 2.8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

350mW

작동 온도

-25°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VFLGA

공급자 장치 패키지

6-LFGA (3x3)

SI6955ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IRF7389TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

AO4818L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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