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SI6955ADQ-T1-GE3

SI6955ADQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6955ADQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6955ADQ-T1-GE3
설명 MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 4,446
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6955ADQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6955ADQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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  • SI6955ADQ-T1-GE3 Distributor

SI6955ADQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 15V

전력-최대

1.15W

작동 온도

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A, 15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1510pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

147A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 20mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

322nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5600pF @ 1000V

전력-최대

625W

작동 온도

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장착 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A, 4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 8V

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