SI6955ADQ-T1-GE3
참조 용
부품 번호 | SI6955ADQ-T1-GE3 |
PNEDA 부품 번호 | SI6955ADQ-T1-GE3 |
설명 | MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP |
제조업체 | Vishay Siliconix |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 4,446 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SI6955ADQ-T1-GE3 리소스
브랜드 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SI6955ADQ-T1-GE3 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
데이터 시트 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- SI6955ADQ-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI6955ADQ-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI6955ADQ-T1-GE3
- SI6955ADQ-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI6955ADQ-T1-GE3 Stock
- SI6955ADQ-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI6955ADQ-T1-GE3
- SI6955ADQ-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI6955ADQ-T1-GE3 Price
- SI6955ADQ-T1-GE3 Distributor
SI6955ADQ-T1-GE3 사양
제조업체 | Vishay Siliconix |
시리즈 | TrenchFET® |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8nC @ 5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
전력-최대 | 830mW |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
공급자 장치 패키지 | 8-TSSOP |
관심을 가질만한 제품
Alpha & Omega Semiconductor 제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 235pF @ 15V 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
ON Semiconductor 제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A, 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1510pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
Microsemi 제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 147A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 20mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 322nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5600pF @ 1000V 전력-최대 625W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6-P |
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A, 4.9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 650pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A (Ta), 12A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 33mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 834pF @ 10V 전력-최대 1.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |