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NVMFD5C478NLWFT1G

NVMFD5C478NLWFT1G

참조 용

부품 번호 NVMFD5C478NLWFT1G
PNEDA 부품 번호 NVMFD5C478NLWFT1G
설명 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
제조업체 ON Semiconductor
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NVMFD5C478NLWFT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NVMFD5C478NLWFT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NVMFD5C478NLWFT1G, NVMFD5C478NLWFT1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 155.49 KB)
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NVMFD5C478NLWFT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10.5A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds420pF @ 25V
전력-최대3.1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.4mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1425pF @ 15V

전력-최대

2.6W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

ECH8651R-R-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

SI7922DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

PHC21025,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A, 2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FCAB21490L1

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 1.11mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3570pF @ 10V

전력-최대

3.5W (Ta)

작동 온도

150°C

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