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NX138AKVL

NX138AKVL

참조 용

부품 번호 NX138AKVL
PNEDA 부품 번호 NX138AKVL
설명 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX138AKVL 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX138AKVL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
NX138AKVL, NX138AKVL 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 781.04 KB)
PDFNX138AKVL 데이터 시트 표지
NX138AKVL 데이터 시트 페이지 2 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 3 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 4 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 5 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 6 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 7 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 8 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 9 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 10 NX138AKVL 데이터 시트 페이지 11

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NX138AKVL 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds20pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)265mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-236AB
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A (Ta), 44A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

827pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.27W (Ta), 33.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

EKI10126

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

66A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

88.8nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6420pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

135W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SPB16N50C3ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

560V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 675µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

66nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQB1N60TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5Ohm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AON6764

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37nC @ 1V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2120pF @ 15V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

42W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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