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NX3008NBKSH

NX3008NBKSH

참조 용

부품 번호 NX3008NBKSH
PNEDA 부품 번호 NX3008NBKSH
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 24,678
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX3008NBKSH 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX3008NBKSH
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NX3008NBKSH, NX3008NBKSH 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,618.93 KB)
PDFNX3008NBKSH 데이터 시트 표지
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NX3008NBKSH 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)350mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 15V
전력-최대445mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

225mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

전력-최대

1.8W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NTMD5838NLR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

785pF @ 20V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 25V

전력-최대

580mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

ECH8662-TL-HX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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DMN5L06VA-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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패키지 / 케이스

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