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NX3020NAKS,115

NX3020NAKS,115

참조 용

부품 번호 NX3020NAKS,115
PNEDA 부품 번호 NX3020NAKS-115
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 268,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX3020NAKS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX3020NAKS,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NX3020NAKS, NX3020NAKS 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 715.46 KB)
PDFNX3020NAKS 데이터 시트 표지
NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 2 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 3 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 4 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 5 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 6 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 7 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 8 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 9 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 10 NX3020NAKS 데이터 시트 페이지 11

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NX3020NAKS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.44nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13pF @ 10V
전력-최대375mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

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Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

12-SIP

공급자 장치 패키지

12-SIP

VMM90-09F

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

76mOhm @ 65A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 30mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

960nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y3-Li

공급자 장치 패키지

Y3-Li

QS8M12TCR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.4nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

SIZ916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1208pF @ 15V

전력-최대

22.7W, 100W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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