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SMA5131

SMA5131

참조 용

부품 번호 SMA5131
PNEDA 부품 번호 SMA5131
설명 MOSFET 3N/3P-CH 250V 2A 12-SIP
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 6,984
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SMA5131 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SMA5131
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SMA5131, SMA5131 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 811.04 KB)
PDFSMA5131 데이터 시트 표지
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SMA5131 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스12-SIP
공급자 장치 패키지12-SIP

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40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

855pF @ 20V

전력-최대

3.1W

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1270pF @ 10V

전력-최대

650mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

633pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1840pF @ 15V

전력-최대

1.6W

작동 온도

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