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NX3020NAKV,115

NX3020NAKV,115

참조 용

부품 번호 NX3020NAKV,115
PNEDA 부품 번호 NX3020NAKV-115
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 1,245,012
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NX3020NAKV 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NX3020NAKV,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NX3020NAKV, NX3020NAKV 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 702.9 KB)
PDFNX3020NAKVYL 데이터 시트 표지
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NX3020NAKV 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.44nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13pF @ 10V
전력-최대375mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-666

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMC3061SVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTM10TDUM09PG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

350nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9875pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

AO4862

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaMOS

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 15V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

FW274-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 10V

전력-최대

2.2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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