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PD20010STR-E

PD20010STR-E

참조 용

부품 번호 PD20010STR-E
PNEDA 부품 번호 PD20010STR-E
설명 TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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PD20010STR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD20010STR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD20010STR-E, PD20010STR-E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 235.22 KB)
PDFPD20010STR-E 데이터 시트 표지
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PD20010STR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)5A
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력10W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Straight Lead)

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이득

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전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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전압-테스트

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소음 수치

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100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

2GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

1.1dB

현재-테스트

280mA

전원-출력

29dBm

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89

BLF25M612G,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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