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PD20010TR-E

PD20010TR-E

참조 용

부품 번호 PD20010TR-E
PNEDA 부품 번호 PD20010TR-E
설명 TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PD20010TR-E 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PD20010TR-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PD20010TR-E, PD20010TR-E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 235.22 KB)
PDFPD20010STR-E 데이터 시트 표지
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PD20010TR-E 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11dB
전압-테스트13.6V
전류 정격 (Amps)5A
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력10W
전압-정격40V
패키지 / 케이스PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
공급자 장치 패키지PowerSO-10RF (Formed Lead)

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-

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800mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

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주파수

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전류 정격 (Amps)

6.5mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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Ampleon

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

30W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-1223-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

BLF888A,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

860MHz

이득

21dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

600W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539A

공급자 장치 패키지

SOT539A

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

H-32259-2

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