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PF5103

PF5103

참조 용

부품 번호 PF5103
PNEDA 부품 번호 PF5103
설명 JFET N-CH 40V 0.625W TO92
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 7,056
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PF5103 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PF5103
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
PF5103, PF5103 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 154.2 KB)
PDFPF5103 데이터 시트 표지
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PF5103 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id1.2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds16pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대625mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류 드레인 (Id)-최대

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전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

FJN598JABU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

20V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

J108,126

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

8 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N4859JTXV02

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

2N4393

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

1.8W

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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