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PMDPB70XPE,115

PMDPB70XPE,115

참조 용

부품 번호 PMDPB70XPE,115
PNEDA 부품 번호 PMDPB70XPE-115
설명 MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
제조업체 Nexperia
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMDPB70XPE 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMDPB70XPE,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMDPB70XPE, PMDPB70XPE 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,413.48 KB)
PDFPMDPB70XPE 데이터 시트 표지
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PMDPB70XPE 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs79mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds600pF @ 10V
전력-최대515mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-HUSON-EP (2x2)

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DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

32pF @ 25V

전력-최대

580mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

DMN3013LFG-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 15V

전력-최대

2.16W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI3333-8 (Type D)

IRF7754GTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1984pF @ 6V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

VKM40-06P1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

220nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

FDS3912

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

632pF @ 50V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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8-SOIC

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