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PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ

참조 용

부품 번호 PMDXB600UNEZ
PNEDA 부품 번호 PMDXB600UNEZ
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 153,000
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMDXB600UNEZ 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMDXB600UNEZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMDXB600UNEZ, PMDXB600UNEZ 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 729.63 KB)
PDFPMDXB600UNEZ 데이터 시트 표지
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PMDXB600UNEZ 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds21.3pF @ 10V
전력-최대265mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-XFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지DFN1010B-6

관심을 가질만한 제품

SI7923DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

47mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

NX138AKSX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 30V

전력-최대

325mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

BUK9K6R2-40E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3281pF @ 25V

전력-최대

68W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

DMC2450UV-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.03A, 700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

37.1pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

AO4614B

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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