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PMGD175XN,115

PMGD175XN,115

참조 용

부품 번호 PMGD175XN,115
PNEDA 부품 번호 PMGD175XN-115
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,976
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMGD175XN 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD175XN,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD175XN, PMGD175XN 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,173.78 KB)
PDFPMGD175XN 데이터 시트 표지
PMGD175XN 데이터 시트 페이지 2 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 3 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 4 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 5 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 6 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 7 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 8 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 9 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 10 PMGD175XN 데이터 시트 페이지 11

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PMGD175XN 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)900mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs225mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.1nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds75pF @ 15V
전력-최대390mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 15V

전력-최대

1.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x2)

TPD3215M

Transphorm

제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2260pF @ 100V

전력-최대

470W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTC60DDAM70T1G

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 28µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4020pF @ 25V

전력-최대

65W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

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DMP1046UFDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

61mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.9nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

915pF @ 6V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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