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PMGD280UN,115

PMGD280UN,115

참조 용

부품 번호 PMGD280UN,115
PNEDA 부품 번호 PMGD280UN-115
설명 MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 57,954
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMGD280UN 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD280UN,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD280UN, PMGD280UN 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 207.81 KB)
PDFPMGD280UN 데이터 시트 표지
PMGD280UN 데이터 시트 페이지 2 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 3 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 4 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 5 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 6 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 7 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 8 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 9 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 10 PMGD280UN 데이터 시트 페이지 11

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  • PMGD280UN,115 Distributor

PMGD280UN 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)870mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs340mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.89nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds45pF @ 20V
전력-최대400mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TSMT8

FDW2503NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1286pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SSM6N37FU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

BSL205NL6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 11µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

419pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

PG-TSOP-6-6

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 22A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

3.1W (Ta), 17W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

8-DFN (3x3)

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