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PN4303_D26Z

PN4303_D26Z

참조 용

부품 번호 PN4303_D26Z
PNEDA 부품 번호 PN4303_D26Z
설명 JFET N-CH 30V 625MW TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,318
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PN4303_D26Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PN4303_D26Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
PN4303_D26Z, PN4303_D26Z 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 27.28 KB)
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PN4303_D26Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id6V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대625mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SK932-24-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

14.5mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

3-CP

BSV80

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

2N4392

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

1.8W

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

BFR30,235

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

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