PRMD16Z
참조 용
| 부품 번호 | PRMD16Z |
| PNEDA 부품 번호 | PRMD16Z |
| 설명 | PRMD16/SOT1268/DFN1412-6 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 44,994 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PRMD16Z 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PRMD16Z |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-어레이, 사전 바이어스 |
| 데이터 시트 |
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PRMD16Z 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 100mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 50V |
| 저항-베이스 (R1) | 22kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | 47kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1µA |
| 주파수-전환 | 230MHz |
| 전력-최대 | 480mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-XFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | DFN1412-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 500mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA, 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V, 60V 저항-베이스 (R1) 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA, 100nA 주파수-전환 185MHz 전력-최대 600mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 - 전력-최대 408mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-963 공급자 장치 패키지 SOT-963 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 200MHz 전력-최대 100mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-553 공급자 장치 패키지 ESV |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 22kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 200MHz 전력-최대 100mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 |
