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PSMN017-80BS,118

PSMN017-80BS,118

참조 용

부품 번호 PSMN017-80BS,118
PNEDA 부품 번호 PSMN017-80BS-118
설명 MOSFET N-CH 80V 50A D2PAK
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 24,198
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PSMN017-80BS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PSMN017-80BS,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
PSMN017-80BS, PSMN017-80BS 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 800.33 KB)
PDFPSMN017-80BS 데이터 시트 표지
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PSMN017-80BS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs26nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1573pF @ 40V
FET 기능-
전력 손실 (최대)103W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D2PAK
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4640pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXTA)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AON6516

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Ta), 32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1229pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

FDMC86184

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 110µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 6V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2090pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

FQD8P10TM_SB82052

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

530mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

470pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 44W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

93nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4450pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

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