PSMN3R0-30YL,115
참조 용
| 부품 번호 | PSMN3R0-30YL,115 |
| PNEDA 부품 번호 | PSMN3R0-30YL-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 618,078 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PSMN3R0-30YL 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PSMN3R0-30YL,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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PSMN3R0-30YL 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 45.8nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2822pF @ 12V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 81W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 패키지 / 케이스 | SC-100, SOT-669 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3062pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 40W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FM 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 27mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1120pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 58W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263AB 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 107nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4500pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
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