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PTFA181001GL V1

PTFA181001GL V1

참조 용

부품 번호 PTFA181001GL V1
PNEDA 부품 번호 PTFA181001GL-V1
설명 IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,516
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA181001GL V1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA181001GL V1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFA181001GL V1, PTFA181001GL V1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 319.31 KB)
PDFPTFA181001HL V1 R250 데이터 시트 표지
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  • PTFA181001GL V1 Distributor

PTFA181001GL V1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)1µA
소음 수치-
현재-테스트750mA
전원-출력100W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지PG-63248-2

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이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

2GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

11dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.45GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

20mA

전원-출력

250W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

32.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

2.4W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

24-PowerQFN

공급자 장치 패키지

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