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PTFA212001F1V4R250XTMA1

PTFA212001F1V4R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFA212001F1V4R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFA212001F1V4R250XTMA1
설명 IC RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,388
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 7 - 2월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFA212001F1V4R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFA212001F1V4R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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PTFA212001F1V4R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득15.8dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력50W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-37260-2

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트랜지스터 유형

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주파수

6GHz

이득

16dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

29W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

12-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-DFN (4x3)

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

12GHz

이득

12.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

88mA

소음 수치

0.3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

14dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S02

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.9GHz

이득

13.3dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

320W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S GW

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S GULL

BLF6G10-45,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

922.5MHz ~ 957.5MHz

이득

22.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

1W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-608A

공급자 장치 패키지

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