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PTFB082817FHV1R250XTMA1

PTFB082817FHV1R250XTMA1

참조 용

부품 번호 PTFB082817FHV1R250XTMA1
PNEDA 부품 번호 PTFB082817FHV1R250XTMA1
설명 IC FET RF LDMOS H-34288
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,804
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFB082817FHV1R250XTMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB082817FHV1R250XTMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
PTFB082817FHV1R250XTMA1, PTFB082817FHV1R250XTMA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 545.23 KB)
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PTFB082817FHV1R250XTMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수821MHz
이득19.3dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트2.15A
전원-출력60W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
공급자 장치 패키지H-34288-4/2

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28V

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-

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-

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1.25A

전원-출력

28W

전압-정격

65V

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28V

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시리즈

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이득

20.8dB

전압-테스트

28V

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-

현재-테스트

1.4A

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전압-정격

66V

패키지 / 케이스

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NI-780S

PD55008TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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LDMOS

주파수

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이득

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전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

2GHz

이득

14dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

120mA

소음 수치

0.45dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

18dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

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