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PTFB211501E-V1-R250

PTFB211501E-V1-R250

참조 용

부품 번호 PTFB211501E-V1-R250
PNEDA 부품 번호 PTFB211501E-V1-R250
설명 FET RF LDMOS 150W H36248-2
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
재고 있음 6,120
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PTFB211501E-V1-R250 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PTFB211501E-V1-R250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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PTFB211501E-V1-R250 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득18dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력40W
전압-정격65V
패키지 / 케이스2-Flatpack, Fin Leads
공급자 장치 패키지H-36248-2

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LDMOS

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32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

300W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502E

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

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NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

14W

전압-정격

68V

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시리즈

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주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

50mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

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