QS8M31TR
참조 용
| 부품 번호 | QS8M31TR |
| PNEDA 부품 번호 | QS8M31TR |
| 설명 | QS8M31 IS COMPLEX TYPE MOSFET(P+ |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 27,180 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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QS8M31TR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | QS8M31TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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QS8M31TR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta), 2A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC, 7.2nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 270pF, 750pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1.1W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 공급자 장치 패키지 | TSMT8 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ II FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 460pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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