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R6524KNJTL

R6524KNJTL

참조 용

부품 번호 R6524KNJTL
PNEDA 부품 번호 R6524KNJTL
설명 NCH 650V 24A POWER MOSFET. R652
제조업체 Rohm Semiconductor
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R6524KNJTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호R6524KNJTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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R6524KNJTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs185mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 750µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs45nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1850pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)245W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LPTS
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

600mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-UDFN (1.6x1.6)

패키지 / 케이스

6-PowerUFDFN

BUK9219-55A,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2920pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPB65R125C7ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ C7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 8.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 440µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1670pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

101W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPD600N25N3GBTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2350pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPP65R110CFDXKSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CFD2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

31.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3240pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

277.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

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