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RB058LAM100TFTR

RB058LAM100TFTR

참조 용

부품 번호 RB058LAM100TFTR
PNEDA 부품 번호 RB058LAM100TFTR
설명 AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
제조업체 Rohm Semiconductor
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RB058LAM100TFTR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RB058LAM100TFTR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • RB058LAM100TFTR Distributor

RB058LAM100TFTR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-128
공급자 장치 패키지PMDTM
작동 온도-접합150°C (Max)

관심을 가질만한 제품

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Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

115pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

Z2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

D650S14TQRXPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io)

620A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.25V @ 1400A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5.3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 1400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

BAS20HT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDH12G65C5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

12A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 12A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

190µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

360pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VSB3200-M3/51

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

175pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

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