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RCJ200N20TL

RCJ200N20TL

참조 용

부품 번호 RCJ200N20TL
PNEDA 부품 번호 RCJ200N20TL
설명 MOSFET N-CH 200V 20A LPTS
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,202
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RCJ200N20TL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RCJ200N20TL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RCJ200N20TL, RCJ200N20TL 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 786.61 KB)
PDFRCJ200N20TL 데이터 시트 표지
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RCJ200N20TL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs130mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.56W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LPTS
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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제조업체

ON Semiconductor

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N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.3Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SISA96DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET® Gen IV

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1385pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

26.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

FQPF3P20

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

STFI13N65M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

430mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

25W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAKFP (TO-281)

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BSP123E6327T

Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

370mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 370mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

70pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.79W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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