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RGCL60TS60DGC11

RGCL60TS60DGC11

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부품 번호 RGCL60TS60DGC11
PNEDA 부품 번호 RGCL60TS60DGC11
설명 IGBT
제조업체 Rohm Semiconductor
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예상 배송 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGCL60TS60DGC11 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGCL60TS60DGC11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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  • RGCL60TS60DGC11 Distributor

RGCL60TS60DGC11 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)48A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
전력-최대111W
에너지 전환770µJ (on), 1.11mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지68nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C44ns/186ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)58ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247N

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.0V @ 5V, 10A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

22nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

500ns/4µs

테스트 조건

300V, 8A, 100Ohm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS

IKD06N60RAATMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6A

전력-최대

100W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

48nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/127ns

테스트 조건

400V, 6A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 55A

전력-최대

460W

에너지 전환

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/365ns

테스트 조건

960V, 55A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

500A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

전력-최대

830W

에너지 전환

1.7mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

370nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/120ns

테스트 조건

400V, 80A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

SGP10N60AXKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

전력-최대

92W

에너지 전환

320µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

52nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/178ns

테스트 조건

400V, 10A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

최근 판매

SMBJ28A-E3/52

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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ABS05-32.768KHZ-T

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NC7WZ16P6X

NC7WZ16P6X

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MMBD7000-7-F

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CPV364M4U

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IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2

GRM31A5C2J100JW01D

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Murata

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TAJC226K025RNJ

TAJC226K025RNJ

CAP TANT 22UF 10% 25V 2312

FDD8880

FDD8880

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MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

EDF1DS-E3/77

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

N25Q256A13EF840E

N25Q256A13EF840E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 256M SPI 108MHZ 8VDFPN

USB4604-1080HN

USB4604-1080HN

Microchip Technology

IC USB HUB/FLASH CTLR 48QFN