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RJH1CF5RDPQ-80#T2

RJH1CF5RDPQ-80#T2

참조 용

부품 번호 RJH1CF5RDPQ-80#T2
PNEDA 부품 번호 RJH1CF5RDPQ-80-T2
설명 IGBT 1200V 50A 192.3W TO247
제조업체 Renesas Electronics America
단가
1 ---------- $78.6362
50 ---------- $74.9501
100 ---------- $71.2640
200 ---------- $67.5780
400 ---------- $64.5062
500 ---------- $61.4345
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RJH1CF5RDPQ-80#T2 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH1CF5RDPQ-80#T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
RJH1CF5RDPQ-80#T2, RJH1CF5RDPQ-80#T2 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 98.95 KB)
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  • RJH1CF5RDPQ-80#T2 Distributor

RJH1CF5RDPQ-80#T2 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
전력-최대192.3W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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RJH65D27BDPQ-A0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 50A

전력-최대

375W

에너지 전환

1mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

175nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/165ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247A

IKZ75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™ 5

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

전력-최대

395W

에너지 전환

1.3mJ (on), 1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

164nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/405ns

테스트 조건

400V, 15A, 22.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-4

공급자 장치 패키지

PG-TO247-4

FGH40T100SMD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

전력-최대

333W

에너지 전환

2.35mJ (on), 1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

398nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/285ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

78ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGP23N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

115µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/60ns

테스트 조건

300V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

STGF20M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

32.6W

에너지 전환

140µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/108ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

166ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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