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RJH60M3DPP-M0#T2

RJH60M3DPP-M0#T2

참조 용

부품 번호 RJH60M3DPP-M0#T2
PNEDA 부품 번호 RJH60M3DPP-M0-T2
설명 IGBT 600V 35A 39.7W TO-220FL
제조업체 Renesas Electronics America
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예상 배송 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJH60M3DPP-M0#T2 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH60M3DPP-M0#T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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RJH60M3DPP-M0#T2 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)35A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 17A
전력-최대39.7W
에너지 전환290µJ (on), 290µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C38ns/90ns
테스트 조건300V, 17A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)90ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220FL

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ON Semiconductor

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

378A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 120A

전력-최대

882W

에너지 전환

6.8µJ (on), 3.5µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

162nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

53ns/102ns

테스트 조건

400V, 120A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

123ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Exposed Pad

공급자 장치 패키지

PowerTO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX4™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

370A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1000A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 160A

전력-최대

1150W

에너지 전환

4.4mJ (on), 2.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

553nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

62ns/245ns

테스트 조건

400V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXXK)

APT50GP60LDLG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

190A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

625W

에너지 전환

456µJ (on), 635µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/85ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

FGB3040CS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

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게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4.7µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

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전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

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-

입력 유형

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게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/73ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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