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RJK6011DJE-00#Z0

RJK6011DJE-00#Z0

참조 용

부품 번호 RJK6011DJE-00#Z0
PNEDA 부품 번호 RJK6011DJE-00-Z0
설명 MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
제조업체 Renesas Electronics America
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RJK6011DJE-00#Z0 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJK6011DJE-00#Z0
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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RJK6011DJE-00#Z0 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs52Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.7nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds25pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)900mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-92MOD
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23.7A (Ta), 81.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1980pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

FCPF380N60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1665pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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SI1424EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta), 2.8W (Tc)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

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