RN2105CT(TPL3)
참조 용
| 부품 번호 | RN2105CT(TPL3) |
| PNEDA 부품 번호 | RN2105CT-TPL3 |
| 설명 | TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,418 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 9월 30 - 10월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RN2105CT(TPL3) 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RN2105CT(TPL3) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스 |
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RN2105CT(TPL3) 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | PNP - Pre-Biased |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 50mA |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 20V |
| 저항-베이스 (R1) | 2.2 kOhms |
| 저항-이미 터베이스 (R2) | 47 kOhms |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 5V |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 500nA |
| 주파수-전환 | - |
| 전력-최대 | 50mW |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-101, SOT-883 |
| 공급자 장치 패키지 | CST3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 4.7 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) 주파수-전환 - 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SC-70 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 10 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 47 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 100mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 1µA 주파수-전환 230MHz 전력-최대 280mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-XDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN1010D-3 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 47 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 22 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) 500nA 주파수-전환 250MHz 전력-최대 100mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 USM |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Pre-Biased 전류-수집기 (Ic) (최대) 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V 저항-베이스 (R1) 100 kOhms 저항-이미 터베이스 (R2) 100 kOhms DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 82 @ 5mA, 5V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대) - 주파수-전환 250MHz 전력-최대 200mW 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 UMT3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 저항-베이스 (R1) - 저항-이미 터베이스 (R2) - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - 주파수-전환 - 전력-최대 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
