RRU1LAM4STR
참조 용
| 부품 번호 | RRU1LAM4STR |
| PNEDA 부품 번호 | RRU1LAM4STR |
| 설명 | DIODE GEN PURP 400V 1A PMDTM |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 23,994 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RRU1LAM4STR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RRU1LAM4STR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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RRU1LAM4STR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.3V @ 800mA |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 400ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-128 |
| 공급자 장치 패키지 | PMDTM |
| 작동 온도-접합 | 150°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-64 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, Superectifier® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 800V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F 8.5pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214BA 공급자 장치 패키지 DO-214BA (GF1) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 5A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 430pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220F 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 90V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 800mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 90V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 10A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 180µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
