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S25FL064LABMFA001

S25FL064LABMFA001

참조 용

부품 번호 S25FL064LABMFA001
PNEDA 부품 번호 S25FL064LABMFA001
설명 IC FLASH 64M SPI 108MHZ SOIC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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S25FL064LABMFA001 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S25FL064LABMFA001
분류반도체메모리 IC기억

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S25FL064LABMFA001 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈Automotive, AEC-Q100, FL-L
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기64Mb (8M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O, QPI
시계 주파수108MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4M (2048 pages x 256 bytes)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

S25FL127SABBHID00

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (6x8)

S71VS128RB0AHK4L0

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

VS-R

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, PSRAM

메모리 크기

128Mbit Flash, 32Mbit RAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-VFBGA

공급자 장치 패키지

56-VFRBGA (7.7x6.2)

71V67703S75BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

MT41J512M8RA-15E IT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

13.5ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (10.5x12)

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