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S29CD016J0MDGH017

S29CD016J0MDGH017

참조 용

부품 번호 S29CD016J0MDGH017
PNEDA 부품 번호 S29CD016J0MDGH017
설명 IC FLASH 16M PARALLEL 56MHZ DIE
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,700
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 18 - 11월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S29CD016J0MDGH017 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29CD016J0MDGH017
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
S29CD016J0MDGH017, S29CD016J0MDGH017 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 637.29 KB)
PDFS29CD016J1JDGH017 데이터 시트 표지
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S29CD016J0MDGH017 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈CD-J
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기16Mb (512K x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수56MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지60ns
접근 시간54ns
전압-공급1.65V ~ 2.75V
작동 온도-40°C ~ 145°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

32Mb (4M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

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