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S29WS256N0SBFW012

S29WS256N0SBFW012

참조 용

부품 번호 S29WS256N0SBFW012
PNEDA 부품 번호 S29WS256N0SBFW012
설명 IC MEMORY NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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S29WS256N0SBFW012 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29WS256N0SBFW012
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
S29WS256N0SBFW012, S29WS256N0SBFW012 데이터 시트 (총 페이지: 79, 크기: 1,777.56 KB)
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S29WS256N0SBFW012 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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기술

EEPROM

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메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CY7C2670KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II+

메모리 크기

144Mb (4M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

550MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

IDT71V416YL10PH

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

44-TSOP II

M50FLW040AK5G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

33MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

250ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-20°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

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작동 온도

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