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S70PL254J00BFWA20B

S70PL254J00BFWA20B

참조 용

부품 번호 S70PL254J00BFWA20B
PNEDA 부품 번호 S70PL254J00BFWA20B
설명 IC FLASH MEM NOR 84MCP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,956
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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S70PL254J00BFWA20B 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S70PL254J00BFWA20B
분류반도체메모리 IC기억

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S70PL254J00BFWA20B 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-TFBGA

공급자 장치 패키지

84-WBGA (11x13)

MT40A1G16RC-062E:B

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.6GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

19ns

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

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공급자 장치 패키지

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AT25DL161-MHN-Y

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시리즈

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

16Mb (256 Bytes x 8192 pages)

메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 3ms

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-

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IDT71V432S10PFG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

1Mb (32K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

10ns

전압-공급

3.135V ~ 3.63V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

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TC58NYG1S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

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Surface Mount

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