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SBC807-25LT1G

SBC807-25LT1G

참조 용

부품 번호 SBC807-25LT1G
PNEDA 부품 번호 SBC807-25LT1G
설명 TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 25,650
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SBC807-25LT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SBC807-25LT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
SBC807-25LT1G, SBC807-25LT1G 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 150.98 KB)
PDFSBC807-16LT3G 데이터 시트 표지
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SBC807-25LT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce160 @ 100mA, 1V
전력-최대300mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 6mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 3A, 3V

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

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시리즈

Military, MIL-PRF-19500/582

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 2V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39 (TO-205AD)

BD675G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

전력-최대

40W

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-225AA, TO-126-3

공급자 장치 패키지

TO-225AA

JANTXV2N6351

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/472

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 10mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AC, TO-33-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-33

DNLS350Y-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

370mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

전력-최대

1W

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100MHz

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