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SD233R36S50PSC

SD233R36S50PSC

참조 용

부품 번호 SD233R36S50PSC
PNEDA 부품 번호 SD233R36S50PSC
설명 DIODE GEN PURP 3.6KV 235A B8
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,884
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SD233R36S50PSC 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SD233R36S50PSC
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SD233R36S50PSC, SD233R36S50PSC 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 231.84 KB)
PDFSD233R36S50PSC 데이터 시트 표지
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SD233R36S50PSC 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)3600V
전류-평균 정류 (Io)235A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If3.2V @ 1000A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)5µs
전류-역방향 누설 @ Vr50mA @ 3600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스B-8
공급자 장치 패키지B-8
작동 온도-접합-40°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

FFPF10UP60STU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.2V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

58ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-2L

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

IDL10G65C5XUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

180µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-PowerTSFN

공급자 장치 패키지

PG-VSON-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

JAN1N5809URS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/477

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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